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　　缺陷的數(shù)量以及大小取決于PVD的工藝類型、沉積狀態(tài)，尤其是基體溫度和沉積偏壓。同時，基體的表面質(zhì)量諸如表面粗糙度、缺陷等也與表面膜層的缺陷密不可分。PVD技術(shù)無法克服因表面粗糙度高引起的陰影效應(yīng)，從而使得制備的膜層受基體本身的影響較大，均勻性不好，致密性也很差，因此制備膜層的基體表面必須盡可能平整、光滑。另外，摻雜原子的添加也可優(yōu)化涂層的顯微組織結(jié)構(gòu)，提高耐蝕性。

　　相對于AZ31鎂合金基體來講，TiN膜層顯著降低了其腐蝕電流密度，而在-200V偏壓下制備的TiN膜層，相應(yīng)膜基體系的耐蝕性更是進一步提高。正如前面所分析的，高的沉積偏壓使得到達基體表面的沉積原子的能量增大，導(dǎo)致形核條件的改變。另外高能粒子的轟擊更能使得形成的膜層更加致密，進一步消除前期膜層中形成的缺陷，從而降低膜層的空隙率，提高其耐蝕性能。

　　消除膜層表面缺陷的另外一類技術(shù)就是沉積多層復(fù)合膜，通過復(fù)合膜層的匹配增加膜層厚度，消除通孔等結(jié)構(gòu)缺陷。這一類體系的膜層有金屬氮化物/金屬以及金屬氮化物復(fù)合體系等。通過工藝調(diào)整以及膜層的匹配性選擇，便能取得比單一膜層體系更好的耐腐蝕性能。

                                                                                                                                              更多資料來源于:http://mczpk.cn